SiCウェハ
SiC（炭化ケイ素、シリコンカーバイド）は、ケイ素（シリコン、Si）と炭素（C）で構成される化合物半導体です。SiCはセラミックスの一種であり、非常に優れた機械的特性、化学的安定性、耐熱性などの特徴から、従来は研磨剤などに多く用いられてきました。しかし近年では結晶成長の技術が高まり、Siなどの従来の半導体と比較して効率よく電力を交換でき、さらに発生する熱量も少ないため、シリコンに代わるパワー半導体材料として急速に需要が高まっています。またSiCは六方晶や立方晶など様々な結晶性があるため、SiCウェハにも多くの種類があり、用途によって使い分けられます。
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