化合物半導体ウェハ
化合物半導体とは、単結晶シリコンやゲルマニウムなどの単一半導体とは異なり、2種類の元素から構成させる半導体のことです。単一半導体が第Ⅳ族から構成されるのに対して、化合物半導体はⅢ族とⅤ族、Ⅱ属とⅥ属から構成されるため、それぞれⅢ-Ⅴ族半導体、Ⅱ-Ⅵ属半導体とも呼ばれます。代表的な化合物半導体としては、GaAs、ZnS、SiCなどがあり、主に発光ダイオードやトランジスタ、高周波デバイス、パワー半導体として用いられています。近年では、青色LEDやレーザーダイオードとしてInGaNが注目を浴びています。
化合物半導体は単一半導体と比較して、
①複数元素から構成されるために結晶性が悪く、欠陥の増加が割れを引き起こす、
②材料が非常に高価
③大型ウェハにするには高度な技術が必要
といったデメリットがあるため、以前はシリコンやゲルマニウムなどの単一半導体が多く用いられてきました。しかし、単一半導体よりも電子の移動速度が優れているために、信号処理の高速化に適していること、また低電圧で動作することなどのメリットが多く、近年は研究開発が盛んにおこなわれています。
用語一覧
分光干渉式
静電容量式
化合物半導体ウェハ
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